Samsung estaría aprovechando el desarrollo de un nuevo procesador para lograr una cámara con un sensor de 144 megapíxeles, según informó por Twitter la conocida fuente de filtraciones tecnológicas Ice Universe.

De acuerdo con la fuente, el gigante surcoreano estaría haciendo uso de transistores FinFET para crear sensores fotográficos con una precisión de 14 nanómetros. Esta posibilidad podría hacerse palpable dada la tendencia actual de aumento en los sensores de imagen basados en la tecnología de semiconductor complementario de óxido metálico (CMOS).

Los sensores de esta clase para teléfonos móviles hoy en día pueden variar de menos de 10 millones a más de 100 millones de píxeles. En este contexto, se espera que la tecnología FinFET de 14 nanómetros permita llevar más allá ese diapasón, subraya la publicación.

Samsung no ha hecho oficial ningún anuncio y los detalles del proyecto se desconocen. No obstante, su posible transición a esta tecnología podría explicar el rechazo de la compañía por sus procesadores Exynos 990 para una de las versiones de su próximo Galaxy S11 y optar por el potente Snapdragon 865 de Qualcomm, que la estadounidense presentó a principios de diciembre. Este último permite sensores de hasta 200 megapíxeles como máximo mientras que el primero está limitado a los 100 megapíxeles, recoge el portal Xataka Móvil.

De cualquier manera, este fabricante mantiene el liderazgo en este campo con su reciente sensor ISOCELL Bright HMX, que permite obtener imágenes más grandes y definidas, de hasta 108 megapíxeles. Esta tecnología ha sido aprovechada por la compañía china Xiaomi, quien a comienzos de noviembre lanzó su Mi Note 10 —presentado oficialmente en China como Mi CC9 Pro—, un dispositivo equipado con un procesador Snapdragon 730G y cuyo mayor atractivo son sus cinco cámaras en la parte trasera, la principal de ellas dotada con dicho sensor. RT

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